随着人工智能技术的持续火爆，高性能存储器（HBM）的需求也在日益增长。近日，三星电子被曝出有意引入竞争对手SK海力士所主导的MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，这一消息引发了业界的广泛关注。
AI旋风了解到，根据路透社的报道，三星电子已经决定采纳MR-MUF技术，替代此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。这一转变显示出三星在提升HBM生产良率方面的决心。三位直接知情人士透露，三星已经向相关设备供应商发出了处理MR-MUF技术的采购订单，显示出其推进这一技术路线的坚定态度。
“三星必须采取一些措施来提高其HBM良率。”知情人士表示，“采用MUF技术对三星来说有点像是抛弃自尊心的决定，因为这相当于效仿了SK海力士的行为。”尽管这一决策可能对三星的自尊心有所挑战，但在市场竞争和技术进步的双重压力下，三星显然更愿意选择跟随市场趋势，以提升自身的竞争力。
分析师指出，目前三星的HBM3芯片生产良率大约在10-20%的范围内，而SK海力士的HBM3生产良率则高达60-70%。随着AI行业的快速发展，业界对于高性能、高可靠性的HBM3和HBM3E的需求日益旺盛。在这一背景下，三星显然需要尽快提升其HBM的生产良率，以满足市场需求。
消息人士还透露，三星正在与包括日本长濑集团在内的材料供应商洽谈采购MUF材料的事宜。长濑产业株式会社作为拥有近200年历史的日本十大商社之一，其在化工领域的专业地位无疑为三星提供了有力的支持。然而，值得注意的是，使用MUF技术的高端芯片最早也要到明年才能实现量产，因为三星还需要进行大量的测试和验证工作。
此外，三位消息人士还表示，三星计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术。这一策略可能有助于三星在提升良率的同时，也保留一定的技术储备和灵活性。
对于外界的猜测和报道，三星方面给出了回应。他们表示，公司内部开发的NCF技术依然是适用于HBM产品的“最佳解决方案”，并将继续用于其HBM3E芯片的生产。同时，他们也将按照计划推进HBM3E产品业务的发展。而英伟达和长濑方面则对此消息拒绝置评。
AI旋风认为，三星电子此次引入SK海力士的MUF封装工艺，无疑是AI热潮下HBM需求飙升的必然结果。这一决策不仅有助于三星提升HBM的生产良率和市场竞争力，也将对整个半导体行业产生深远的影响。随着AI技术的不断进步和市场的不断变化，我们期待看到更多创新性的技术和解决方案在半导体行业中涌现。
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